Nimewo Pati :
VS-40MT120UHTAPBF
Manifakti :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskripsyon :
IGBT 1200V 80A 463W MTP
Nou konte genyen :
Half Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
80A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
4.91V @ 15V, 80A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
250µA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
8.28nF @ 30V
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake / Ka :
12-MTP Module
Pake Aparèy Founisè :
MTP