Nimewo Pati :
DTC363EUT106
Manifakti :
Rohm Semiconductor
Deskripsyon :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Kalite tranzistò :
NPN - Pre-Biased
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
600mA
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
20V
Rezistans - Sèvi (R1) :
6.8 kOhms
Rezistans - Sèvi ak emeteur (R2) :
6.8 kOhms
DC Kouran Akeri (HFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Vce saturation (Max) @ Ib, Ic :
80mV @ 2.5mA, 50mA
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
500nA
Frekans - Tranzisyon :
200MHz
Mounting Kalite :
Surface Mount
Pake / Ka :
SC-70, SOT-323
Pake Aparèy Founisè :
UMT3