Nimewo Pati :
GSID150A120T2C1
Manifakti :
Global Power Technologies Group
Deskripsyon :
SILICON IGBT MODULES
Nou konte genyen :
Three Phase Inverter
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
285A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 150A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
1mA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
21.2nF @ 25V
Antre :
Three Phase Bridge Rectifier
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
Module