Nimewo Pati :
GSID080A120B1A5
Manifakti :
Global Power Technologies Group
Deskripsyon :
SILICON IGBT MODULES
Nou konte genyen :
Single
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
160A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 80A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
1mA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
7nF @ 25V
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
Module