Nimewo Pati :
DTC114EUAT106
Manifakti :
Rohm Semiconductor
Deskripsyon :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estati Pati :
Not For New Designs
Kalite tranzistò :
NPN - Pre-Biased
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
100mA
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
50V
Rezistans - Sèvi (R1) :
10 kOhms
Rezistans - Sèvi ak emeteur (R2) :
10 kOhms
DC Kouran Akeri (HFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V
Vce saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
500nA
Frekans - Tranzisyon :
250MHz
Mounting Kalite :
Surface Mount
Pake / Ka :
SC-70, SOT-323
Pake Aparèy Founisè :
UMT3