Nimewo Pati :
BSM100GB170DN2HOSA1
Manifakti :
Infineon Technologies
Deskripsyon :
MODULE IGBT 1700V
Nou konte genyen :
Half Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1700V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
145A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 100A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
1mA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
16nF @ 25V
Operating Tanperati :
150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
Module