Nimewo Pati :
IRD3CH11DB6
Manifakti :
Infineon Technologies
Deskripsyon :
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
Voltage - DC Ranvèse (Vr) (Max) :
1200V
Kouran - Mwayèn Rèktifye (Io) :
25A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si :
2.7V @ 25A
Vitès :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Ranvèse Tan Reverse (trr) :
190ns
Kouran - Fèy Reverse @ Vr :
700nA @ 1200V
Mounting Kalite :
Surface Mount
Pake Aparèy Founisè :
Die
Operating Tanperati - Junction :
-40°C ~ 150°C