Manifakti :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskripsyon :
IGBT UFAST 600V 100A MTP
Nou konte genyen :
Single
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
600V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
100A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
2.55V @ 15V, 100A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
250µA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
14.7nF @ 30V
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
10-MTP