Nimewo Pati :
FF50R12RT4HOSA1
Manifakti :
Infineon Technologies
Deskripsyon :
IGBT MODULE 1200V 50A
Kalite IGBT :
Trench Field Stop
Nou konte genyen :
Half Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
50A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
1mA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
2.8nF @ 25V
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
Module