Manifakti :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskripsyon :
IGBT WARP 600V 114A MTP
Nou konte genyen :
Half Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
600V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
114A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 100A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
400µA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
7.1nF @ 30V
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake / Ka :
12-MTP Module
Pake Aparèy Founisè :
12-MTP