Nimewo Pati :
VS-150EBU02
Manifakti :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskripsyon :
DIODE GP 200V 150A POWIRTAB
Voltage - DC Ranvèse (Vr) (Max) :
200V
Kouran - Mwayèn Rèktifye (Io) :
150A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.13V @ 150A
Vitès :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Ranvèse Tan Reverse (trr) :
45ns
Kouran - Fèy Reverse @ Vr :
50µA @ 200V
Mounting Kalite :
Through Hole
Pake / Ka :
PowerTab™, PowIRtab™
Pake Aparèy Founisè :
PowIRtab™
Operating Tanperati - Junction :
-55°C ~ 175°C