Nimewo Pati :
VS-GA200HS60S1
Manifakti :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskripsyon :
IGBT 600V 480A 830W
Nou konte genyen :
Half Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
600V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
480A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
1.21V @ 15V, 200A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
1mA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
32.5nF @ 30V
Operating Tanperati :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
INT-A-PAK