Nimewo Pati :
VS-GB100TP120U
Manifakti :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskripsyon :
IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
Nou konte genyen :
Half Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
150A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 100A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
2mA
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
4.3nF @ 25V
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
INT-A-PAK