Nimewo Pati :
BSM50GD120DN2G
Manifakti :
Infineon Technologies
Deskripsyon :
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Nou konte genyen :
Full Bridge
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
78A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 50A
Kouran - Cutoff Pèseptè (Max) :
-
Antre kapasite (Cies) @ Vce :
33nF @ 25V
Operating Tanperati :
150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Chassis Mount
Pake Aparèy Founisè :
Module