Nimewo Pati :
FGA25N120FTD
Manifakti :
ON Semiconductor
Deskripsyon :
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Kalite IGBT :
Trench Field Stop
Voltage - Pèseptè ki emèt deba (Max) :
1200V
Kouran - Pèseptè (Ic) (Max) :
50A
Kouran - Pèseptè batman (Icm) :
75A
Vce (sou) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 25A
Oblije chanje enèji :
340µJ (on), 900µJ (off)
Td (on / off) @ 25 ° C :
48ns/210ns
Kondisyon egzamen an :
600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Ranvèse Tan Reverse (trr) :
770ns
Operating Tanperati :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Kalite :
Through Hole
Pake / Ka :
TO-3P-3, SC-65-3
Pake Aparèy Founisè :
TO-3P